氧化亞硅真空蒸餾爐

設備用途：氧化亞硅氣相沉積包覆爐，是利用真空蒸鍍法將粉碎后的所得元素摻雜金屬硅與二氧化硅通過真空蒸鍍工藝，制得元素摻雜氧化亞硅。

設備特點：

1、本公司自行設計生產的氧化亞硅氣相沉積包覆爐有兩種加熱方式（感應加熱、電阻加熱和中頻感應加熱），內部各溫區(qū)溫差在±5℃以內，能有效保證物料在內腔內的反應溫度均勻。加熱端溫度≤1400℃，收集區(qū)溫度≤900℃。能充分滿足客戶用于氧化亞硅等可氣相沉積材料的燒結工藝。

2、設備采用熱電偶接觸式測溫控溫精度高，高溫真空度好，物料收集率高，具備物料烘干、燒結、收集于一體等特點，其物料反應充分、收集率高等特點。

3、真空采用三級真空機組，油擴散泵+羅茨泵+機械泵+真空閥門，以及我公司自行生產設計的真空過濾系統(tǒng)組成，具有真空度高，設備能在高溫、高真空環(huán)境中長期使用。

設備常用尺寸規(guī)格：